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三星将在 2021 年推出 3nm 芯片技术

2019-05-15

 据国外媒体报道,三星将于2021年向市场推出一项突破性的处理器技术,对最基本的电子元件进行根本性改造,使芯片性能提高35%,同时使能耗降低50%。OQj电子头条

 
据悉,当地时间周二三星在于加州圣克拉拉举行的三星铸造论坛(Samsung Foundry Forum)上宣布,这项名为“环绕栅极”(gate all around,GAA)的技术能够对芯片核心晶体管进行重新设计和改造,使其更小更快。到2021年,应用这种技术的芯片问世后将成为三星与英特尔和台积电等竞争对手的交手中迈出的重要一步。三星希望借此加快芯片行业的发展步伐。近年来,芯片行业一直难以克服极端小型化带来的工程挑战。
 
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与7nm技术相比,三星的3GAE工艺旨在将芯片面积减少45%,功耗降低50%或性能提高35%。基于GAA的工艺节点有望在下一代应用中广泛采用,例如移动、网络通讯、汽车电子、人工智能(AI)和IoT物联网等。
 
目前三星还在开发3GAE工艺中,不过他们4月份就发布了3GAE工艺的PDK 1.0工艺设计套件,旨在帮助客户尽早开始设计工作,提高设计竞争力,同时缩短周转时间(TAT)。
 
除了上述先进工艺之外,三星在低功耗的FD-SOI工艺上也会继续深入开发,今年会完成28FDS工艺后续的18FDS工艺以及1Gb容量的eMRAM存储芯片后续的开发。